2010年电气论坛第33次活动--美国中佛罗里达大学沈征教授第1次讲座

发布日期:2010-11-16来源:电气工程学院发布者:系统管理员访问量:323

讲座通知
 
浅谈电力电子半导体器件的失效机理安全工作区及可靠性
 
时间: 1118日上午1000~1130
地点:电机工程楼408
 
沈征教授 (Prof. John Shen)
美国中佛罗里达大学 (University of Central Florida)
 
我们为什么经常会烧管子?作为从事电力电子技术的研发人员,我们可能不止一次的体验过功率晶体管冒烟的“悲剧”。到底是什么原因致使这些高电压大电流半导体器件瞬间被烧毁?难道仅仅是因为使用温度过高吗?11月18日上午 美国中佛罗里达大学 (University of Central Florida) 沈征教授 (Prof. John Shen)将就电力半导体器件复杂的失效物理机理,器件安全工作区及坚强性(ruggedness),及器件长期可靠性为我们做一个由表及里的分析探讨。帮助电力电子线路设计人员增强对器件使用的深一步的了解,并帮助电力半导体器件设计人员进一步改进器件性能。
沈征博士简历
1987年获清华大学电子工程学士学位,1991年及1994年分别获得美国伦塞勒工学院(Rensselaer Polytechnic Institute)电子工程硕士及博士学位。19941999年间就职于美国亚利桑那州摩托罗拉公司 (Motorola) 电力半导体部,任高级主任工程师,参与并主持开发多项工业及汽车应用电力半导体产品(包括电池汽车马达驱动IGBT,汽车电子点火IGBTPower MOSFET, 创产值逾亿美元。19992004年间执教于美国密执根大学迭尔本分校 (University of Michigan-Dearborn) 并从事电力半导体及汽车电子方面研究工作。2004年至今执教于美国中佛罗里达大学 (University of Central Florida), 现任电机系教授,佛罗里达电力电子研究中心副主任,电力半导体研究室主任。沈征博士于2002年参与创建美国长城半导体公司并任首席科学家及董事至今。沈征博士长期并从事电力半导体及电力电子学研究工作,发表学术论文100余篇,获12项美国国家发明专利,包括发明世界首只亚毫欧姆Power MOSFET。沈征博士荣获2003年美国国家科学基金 (NSF) 杰出青年科学家奖(CAREER Award)2006IEEE 电力电子期刊年度最佳论文奖,2003IEEE 汽车电子期刊年度最佳论文奖,1996Motorola 科学技术奖。沈征博士现为IEEE 电力电子学会(IEEE Power Electronics Society) 副主席,电力半导体技术委员会主席,IEEE电力电子期刊编辑,国际电动汽车期刊编委,国际电力半导体器件及集成电路(ISPSD)会议技术委员会成员,IEEE 第一届汽车电力电子会议(VPPC)技术委员会主席,IEEE 第三十八届电力电子专家会议 (PESC)技术委员会主席,IEEE 第二届能量转换会议 (ECCE) 技术委员会主席。