| GE碳化硅功率半导体介绍及应用研究 报告时间：2016年10月17日下午2:00-4:30 Summary： 作为一种新型的宽禁带半导体材料，碳化硅因其出色的物理及电特性，正越来越受到电力电子学术界和产业界的广泛关注。相较于传统的硅半导体功率器件，碳化硅功率半导体器件表现了优越的性能，符合节能环保，高转换效率，高功率密度，高可靠性，以及恶劣环境下高运行温度的发展需求。该讲座基于GE碳化硅功率半导体器件开发和应用经验，介绍GE碳化硅功率半导体器件的基本特性，以及碳化硅功率半导体器件在光伏逆变器等工业领域的应用。具体讨论碳化硅功率半导体器件的使用要点，通过2个具体的应用案例---三相功率因数校正电路和高压发生电路为例详细分析GE碳化硅功率半导体器件对电路效率，功率密度及系统性能的提升。 讲座将同时介绍通用电气全球研发中心，电力电子（中国）实验室及通用电气工程师的研发经验交流。 Presenter：毛赛君，沈捷通用电气全球研发中心——电力电子(中国)实验室 毛赛君: 毕业于南京航空航天大学，硕士，IEEE会员。2006年起在通用电气全球研发中心（上海）工作，目前担任主任研究员，为恶劣环境下功率变换技术项目负责人。主要研究方向为高功率密度功率变换技术，恶劣环境下功率变换和封装技术，及高频高压发生技术。在GE期间，已获发明专利及申请20余项，发表IEEE论文15余篇，其中一篇以第一作者获会议最佳论文。 沈捷:毕业于德国亚琛工业大学，博士，IEEE高级会员。2008年起在通用电气研发中心（欧洲）工作。主要研究方向为高功率变频器的系统设计。自2015年起担任通用电气全球研发中心（上海）、电力电子（中国）实验室经理。至今已有发明专利及申请30余项，发表IEEE期刊及会议论文30余篇，其中三篇以第一作者获IEEE-IAS年度最佳论文。 |
