为进一步推进与国际高水平学科的交流，2017年3月29日上午，麻省理工学院张宇昊博士应邀到浙江大学电气学院访问，并做了关于氮化镓（GaN）垂直型功率器件的讲座，报告地点在浙江大学玉泉校区电机工程楼201会议室。张宇昊博士师从Tomas Palacios 教授，Tomas教授是麻省理工学院电子工程与计算机科学系教授，于2006年加入麻省理工学院，主要研究方向是基于宽禁带半导体材料的新型电子器件，已发表超过200篇文章，参与撰写5本书，并有多项邀请报告和专利。此次张宇昊博士为我们带来了氮化镓垂直型功率二极管以及功率晶体管的报告。该讲座吸引了对功率器件感兴趣的博士及硕士研究生参加。
讲座中张宇昊博士从氮化镓平面型HEMT器件和垂直型器件的性能对比展开，提出垂直型器件可以减小芯片面积，从而提升比导通电阻。而由于现有的商用以及部分研究组研制的氮化镓功率器件都是平面型HEMT器件，张宇昊博士的氮化镓垂直型器件研制的工作十分有意义。报告中张博士对比了不同的垂直型功率二极管结构的实验结果，并对实验结果进行了详细的理论分析。张宇昊博士在讲座中还提到了垂直型GaN FINFET功率器件，该方式由于其元胞宽度较窄，极大地提高功率密度。讲座后张宇昊博士与参会的博士生、硕士生同学进行了深入的交流，介绍了在MIT从事科研工作的经历，对科研工作中存在的疑惑进行了交流。
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该交流活动是应电系深入推进海外一流学科伙伴提升计划的一部分内容，在这一活动的支持下，学科将继续推进与国际一流学科团队的教师、研究生之间的交流，为推进学科发展和培养高水平研究生服务。
(图文：郭清、徐弘毅)
