4月26日，由浙江大学电气工程学院主办的“高可靠超高频GaN基变换技术”联合研讨会在杭州顺利召开。本次会议围绕国家重点研发计划国际项目，聚焦超高频GaN器件与电源领域，开展前沿技术研讨，旨在促进技术协同与资源共享，助力我国电力电子领域的前沿技术探索。
浙江大学电力电子应用技术国家工程研究中心副主任、电气工程学院党委委员年珩教授，应用电子学系系主任张军明教授，项目负责人吴新科教授，香港科技大学张薇葭教授，横店集团东磁股份有限公司研发部长王朝明，英诺赛科（珠海）科技有限公司孙涛博士以及30余位研究生参加会议。吴新科教授主持本次会议，对参会嘉宾表示欢迎并介绍了项目基本情况。
参会合影
吴新科教授主持会议
年珩教授代表浙江大学电气工程学院致辞，对本项目的实施提出了殷切期望，面向快速跃升的超算中心供电需求和挑战，项目团队汇聚优势科研力量，聚焦超高频GaN器件与电源模块领域，响应国家在高算力基础设施建设中的战略需求、深化双方科技合作的战略部署，力图突破关键核心技术瓶颈。
年珩教授致辞
张薇葭教授介绍了团队在GaN器件机理研究与可靠性方面的优势，并表示浙江大学在高频变换技术领域积淀深厚，希望双方强强联合、优势互补，共同助力电力电子器件与应用领域的科研进步。
张薇葭教授致辞
本次会议共进行五场技术报告，来自浙大与港科大的研究生从GaN器件栅极可靠性提升、阈值电压测试与表征、动态电阻测试与表征、10MHz DC-DC设计、10MHz谐振驱动设计等主题作了精彩报告。参会代表对报告内容充分交流，对技术难点进行详细地讨论。
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参会代表还参观了电力电子实验室。
供稿：吴新科教授团队
