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2016年电气论坛第11次活动-GE碳化硅功率半导体介绍及应用研究

发布日期:2016-10-17  作者:  编辑:jxm  访问量:598

GE碳化硅功率半导体介绍及应用研究

报告时间:20161017日下午2:00-4:30
报告地点:浙江大学玉泉校区电机工程楼301教室

Summary

作为一种新型的宽禁带半导体材料,碳化硅因其出色的物理及电特性,正越来越受到电力电子学术界和产业界的广泛关注。相较于传统的硅半导体功率器件,碳化硅功率半导体器件表现了优越的性能,符合节能环保,高转换效率,高功率密度,高可靠性,以及恶劣环境下高运行温度的发展需求。该讲座基于GE碳化硅功率半导体器件开发和应用经验,介绍GE碳化硅功率半导体器件的基本特性,以及碳化硅功率半导体器件在光伏逆变器等工业领域的应用。具体讨论碳化硅功率半导体器件的使用要点,通过2个具体的应用案例---三相功率因数校正电路和高压发生电路为例详细分析GE碳化硅功率半导体器件对电路效率,功率密度及系统性能的提升。

讲座将同时介绍通用电气全球研发中心,电力电子(中国)实验室及通用电气工程师的研发经验交流。

Presenter毛赛君,沈捷通用电气全球研发中心——电力电子(中国)实验室

毛赛君: 毕业于南京航空航天大学,硕士,IEEE会员。2006年起在通用电气全球研发中心(上海)工作,目前担任主任研究员,为恶劣环境下功率变换技术项目负责人。主要研究方向为高功率密度功率变换技术,恶劣环境下功率变换和封装技术,及高频高压发生技术。在GE期间,已获发明专利及申请20余项,发表IEEE论文15余篇,其中一篇以第一作者获会议最佳论文。

 

沈捷:毕业于德国亚琛工业大学,博士,IEEE高级会员。2008年起在通用电气研发中心(欧洲)工作。主要研究方向为高功率变频器的系统设计。自2015年起担任通用电气全球研发中心(上海)、电力电子(中国)实验室经理。至今已有发明专利及申请30余项,发表IEEE期刊及会议论文30余篇,其中三篇以第一作者获IEEE-IAS年度最佳论文。

 

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