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2017年电气论坛第20次活动——跨国公司研发理念和研发流程

发布日期:2017-10-10  作者:  编辑:ch  访问量:681

跨国公司研发理念和研发流程

以大功率中压变频器和基于SiC的高频高压发生器为例

报告时间:20171011日下午2:00-5:00
报告地点:浙江大学玉泉校区电机工程楼418

Summary

该讲座将介绍GE公司的研发理念和研发经验,人才培养模式及研发项目立项举例。同讲座将介绍两个工业研发项目——大功率中压变频器设计挑战和基于碳化硅MOSFET的模块化高频高压发生器。

Presenter

沈捷,瞿博,毛赛君,原GE全球研发中心电力电子(中国)研究室团队成员

 

沈捷,博士毕业于德国亚琛工大并荣获Summa Cum Laude特优荣誉。IEEE高级会员。20087月至20177月在GE全球研发中心慕尼黑及上海任职,担任电力电子中国技术营运总监,研究专长为大功率电力电子在可再生能源、深海油气、新能源车、特种测试装备中的应用技术等。他领导的德国与中国研发团队主导了GEMV7tstMV6系列大功率中压变频器的核心技术研发。发表了30余篇国际SCIEI论文,包含4IEEE-IAS的最佳论文。授权(含申请)30余件国际发明专利。

 

瞿博,浙江大学博士。2010年至2017年在GE全球研发中心任职,曾任主任研究员,中压变频技术负责人。发表SCI/EI论文19篇,3IEEE-IAS最佳论文。获国际/中国发明专利7项。研究方向为大功率变频技术及数字镜像技术。

 

毛赛君,荷兰代尔夫特理工大学博士。曾任GE全球研发中心主任研究员,2006年起在GE全球研发中心工作,为高功率密度功率变换项目负责人。主要研究方向为高功率密度功率变换技术,恶劣环境下封装技术及高频高压发生技术。发表SCI/EI论文20余篇,1IEEE最佳论文奖。获37项国际/中国发明专利及专利申请。

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